一、芯片工艺制程级别划分？
芯片的工艺制程级别划分为精密制程、高端制程和低端制程。精密制程是在13纳米以下的制程，比如说9纳米，7纳米，5纳米，最精密的是3纳米；高端制程介于13纳米至28纳米之间的，属于高端制程；28纳米以上的制程为低端制程，比如130纳米，90纳米的制程。不同的半导体设计用于不同的制程。与应用和芯片功能有关。
二、芯片制程工艺分为哪几种？
芯片制程工艺主要分为以下几种：微米级工艺：通常在1微米到0.35微米之间，这是传统的芯片制程工艺，主要用于早期的集成电路和微处理器。纳米级工艺：通常在1纳米到0.1微米之间，这种工艺主要用于现代的高性能处理器、图形处理器、存储芯片等。下一代工艺：包括纳米以下的工艺，如7纳米、5纳米和3纳米等，这些工艺主要用于最先进的高性能处理器和人工智能芯片。此外，芯片制程工艺还包括薄膜工艺、刻蚀工艺、掺杂工艺等。随着技术的不断发展，芯片制程工艺也在不断进步，未来将会有更先进的制程技术问世。
三、世界芯片nm技术发展史？
芯片制造企业发展简史：
1）2001年，当时的芯片制程工艺是130纳米，我们那时候用的奔腾3处理器，就是130纳米工艺。
2）2004年，是90纳米元年，那一年奔腾4采用了90纳米制程工艺，性能进一步提升。
而当时能达到90纳米制成工艺的厂家有很多，比如英特尔，英飞凌，德州仪器，IBM，以及联电和台积电
3）2012年制程工艺发展到22纳米，此时英特尔，联电，联发科，格芯，台积电，三星等，世界上依旧有很多厂家可以达到22纳米的半导体制程工艺。
4）2015年成了芯片制成发展的一个分水岭，当制程工艺进入14纳米时，联电（台湾联华电子）止步于此。
5）2017年，工艺步入10纳米，英特尔倒在了10纳米，曾经的英特尔芯片制程独步天下，台积电三星等都是跟在屁股后面追赶的。
但是当工艺进入10纳米后，英特尔的10纳米芯片只能在低端型号机器上使用，英特尔主力的I5和I7处理器，由于良率问题而迟迟无法交货。
而在7纳米领域，英特尔更是至今无法突破，而美国另一家芯片代工巨头“格芯”，也是在7纳米处倒下的。
6）2018年，工艺步入7纳米
格芯宣布放弃7纳米，在前文“敌人不会仁慈”中，提到，格芯是美国军方2016-2023年的合作伙伴，美国军方和航太工业所需要的芯片等都是包给格芯代工的。
但是因为7纳米研发成本和难度太大，格芯最终决定放弃7纳米。
于是这才出现了美国政府将“台积电”纳入美军合作伙伴中，并且准备和台积电签署2024年后与美国政府的芯片代工伙伴协议。
因为7纳米技术，台积电被美国政府视为“自己人”，而为了长期供货美国，台积电也宣布了120亿美元的赴美建厂计划。
美国自己的代工老大英特尔倒在10纳米，格芯倒在7纳米，而进入更难的5纳米，只剩下三星和台积电。
7）2019年发布6纳米量产导入，2020工艺进入5纳米量产
但三星5纳米年初才首发，离量产和高良率还有一大段路要走，之前提过芯片代工，首发，试产，正式量产，这三阶段一个比一个重要。
三星在14纳米的良率比不上台积电，在10纳米的效能比不上台积电，在7纳米的研发制程比不上台积电。
你只有达到正式量产且高良率的时候，才能谈成功，目前台积电是全世界唯一一个有能力量产5纳米的代工厂。
纵观整个芯片工艺制程的发展之路，真的是斑斑血泪，即便强大如IBM，英特尔，格芯等国外大厂也是说倒下就倒下，说放弃就放弃
这是一项非常艰难的工程，不成功是大概率的，而成功则需要真正意义上的用命杀出一条血路。
8）台积电规划2022年3纳米导入量产，绝对的独步天下
9）中芯国际2019年量产14纳米芯片
回到中国大陆，目前中芯国际是唯一一家能拿得出手的半导体代工企业，中芯国际的14纳米工艺芯片，力供华为。
而在更进一步的7纳米领域（性能比14纳米提高20%，耗能降低50%），中芯仍然挑战重重，年底试产，但离量产还比较远。
但这已经非常不容易了，世界上只剩三家7纳米的玩家了，一家台积电，一家三星，一家中芯。
10）美国技术含量
从卡脖子来看，包含美国技术的不能给实体清单企业供货（包括代工），台积电7纳米技术美国技术含量不到10%，5纳米技术美国含量不到3%；三星、中芯美国技术含量更高，因此世界上还不存在不包含美国技术的代工企业；换句话说就是，美国可以让任何企业得不到芯片，得不到芯片也就代表了企业因为缺芯而休克。
11）建立不包括美国技术的芯片制造
这个难度非常大，需要有强有力的组织者和强有力的各工业链的参与方，强大的资金和技术投入，经过艰苦绝伦的5-10年才可能同步到业界的7、5、3纳米。难度之大可见一斑。
12）乐观一点
摩尔定律发展到极限了，极限的发展会非常缓慢，3纳米量产需要3年以上时间，2纳米、1纳米需要更长时间。
说明这些优秀公司会在终点等一段时间，中国企业需要加油啦。
当然，会有新的架构发展，中国应该抓住起点机会在起点就拼命参与，不要再产生差距。
四、芯片制程是什么意思？
芯片制程指的是晶体管结构中的栅极的线宽，也就是纳米工艺中的数值，宽度越窄，功耗越低。一般来说制程工艺先进，晶体管的体积就越小，那么相同尺寸的芯片表面可以容纳的晶体管数量就越多，性能也就越强。
五、芯片制程发展史？
芯片制程发展经历了多个阶段，以下是主要的几个阶段：1. 从1950年代到1960年代初，使用扩散法制造芯片，即通过控制掺杂材料的扩散，形成芯片的导电层和非导电层。这一制程主要用于制造二极管和晶体管。2. 1960年代初至1970年代，发展了光刻技术，使得芯片的线宽缩小到微米级别。微米级的制程技术为集成电路技术的发展打下基础，并促进了电路的集成度的提高。3. 1970年代末至1980年代，出现了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，这种技术可实现更高的集成度和性能。与传统的扩散法不同，MOSFET制程使用了原子蒸镀技术，以及金属氧化物半导体结构。4. 1980年代到1990年代初，出现了互连技术的发展。通过将金属材料沉积到芯片表面形成互连层，将不同元件连接起来，提高了芯片的集成度和工作速度。5. 1990年代开始，出现了先进制程技术的快速发展，如深亚微米制程和纳米级制程。随着制程线宽越来越小，对材料和工艺的精度要求也越来越高，因此出现了新的制程工艺，如碳化硅和高K介质材料等。6. 进入21世纪后，更加关注低功耗和能源效率。为了满足节能环保的要求，芯片制程发展了一些新的技术和材料，如三维堆叠技术、片上系统和新型发光材料等。总的来说，芯片制程的发展经历了从微米级到纳米级的技术进步，不断提高了芯片的集成度、性能和功耗，推动了信息技术的快速发展。